激發(fā)輻射的散射將影響樣品中元素的特征輻射強(qiáng)度，這是由于散射過程將影響光譜的背景。此外，還存在兩個(gè)主要的效應(yīng):

樣品中激發(fā)輻射被吸收和由此產(chǎn)生的或由其他元素（基體）發(fā)射的熒光輻射。

樣品中其他元素的次級(jí)激發(fā)（增強(qiáng)）。

樣品中測(cè)試元素的特征譜線的強(qiáng)度會(huì)受到其它元素的干擾，典型的干擾如下：

1、逃逸峰

逃逸峰的產(chǎn)生機(jī)理：進(jìn)入硅檢測(cè)器的X熒光如果其能量比硅的吸收限（1.74KeV）高，那么該入射X熒光會(huì)激發(fā)出新的硅X熒光，當(dāng)部分硅的X熒光逃逸出監(jiān)測(cè)器時(shí)，探測(cè)器只能探測(cè)到原入射X熒光損失了1.74KeV之后的能量，從而形成逃逸峰,如圖所示。

案例：

(1)物料含高Sn時(shí)中測(cè)試Cd元素的影響

影響產(chǎn)生的機(jī)理：當(dāng)樣品中含有大量的Sn，其Ka能量為25.044KeV。Sn元素的逃逸峰能量為23.304KeV與Cd元素Ka能量23.130KeV接近，存在互相干擾。如圖"所示。

(2) 物料含高Ti時(shí)對(duì)Cl元素的影響

影響產(chǎn)生的機(jī)理：當(dāng)樣品中含有大量的Ti或其化合物，其Ka能量為4.512KeV。Ti元素的逃逸峰能量為2.772KeV與Cl元素ClKa能量2.620KeV接近，存在互相干擾。如圖"所示。

2、和峰

    和峰的產(chǎn)生機(jī)理：當(dāng)多束X熒光在幾乎同一時(shí)間射入檢測(cè)器時(shí)，這些射線的能譜累積處會(huì)出現(xiàn)和峰，檢測(cè)器會(huì)將其誤判為另外一種元素的特征射線。在針對(duì)RoHS禁用物質(zhì)的檢測(cè)中，如果鉛大量存在，那么，在Pb-Lb1、Pb-Lα線累積并加倍的位置會(huì)出現(xiàn)一個(gè)和峰，該峰于Cd的能譜位置重疊，對(duì)元素Cd的測(cè)定產(chǎn)生影響（導(dǎo)致元素Cd的測(cè)定結(jié)果比實(shí)際的高）。如圖所示。

3、As對(duì)Pb的影響

    影響產(chǎn)生的機(jī)理：在對(duì)RoHS禁用物質(zhì)的檢測(cè)中，Pb-Lα線和As-Kα線有重疊，因此，在樣品中含有大量元素As時(shí)，會(huì)對(duì)元素Pb的測(cè)定結(jié)果產(chǎn)生影響。如圖所示。

4、高Br對(duì)Pb的影響

    影響產(chǎn)生的機(jī)理：當(dāng)樣品中含有大量Br的時(shí)候，會(huì)把相鄰的PbLb峰蓋住或抬高,則影響到元素Pb的測(cè)定結(jié)果（元素Pb的測(cè)定結(jié)果會(huì)比實(shí)際的高），如圖所示。

注：以上例舉幾種常見元素干擾，僅供參考，舉一反三。